非晶硅薄膜太阳能电池的分流(shunt)现象会严重地影响整个生产工艺的良率,器件中形成分流的颗粒可能来自于沉积过程中的衬底或非晶硅a-Si:H的局域缺陷区域。透明导电氧化物TCO沉积、Si沉积和激光刻划的步骤中都容易形成分流。通...[继续阅读]

    我们将按照沉积温度(depositiontemperature)顺序讨论不同的生长外延层沉积技术,由最高沉积温度的技术讨论到最低沉积温度的技术。这种分类方法也反映了实验结果的数量和相关技术的成熟程度。这是一个容易理解的事实,因为晶体硅薄...[继续阅读]

    温度差法(temperaturedifferencemethod,TDM)是一种有较好前景的准连续技术,可以在10cm×10cm的大面积多晶硅衬底上生长外延层,是液相外延LPE大规模生产研究的重要方向[95,96]。TDM先被用于为发光器件沉积Ⅲ-Ⅴ族半导体层(semiconductorlayer)[97]。与...[继续阅读]

    在本章中,我们讨论了碲化镉薄膜太阳能电池的材料特性、制备工艺和理论模型。FirstSolar的商业成功使碲化镉薄膜太阳能电池技术实现了真正意义上的产业化和大规模生产。虽然形成吸收层的CdTe材料具有相对较差的结晶质量,但是这...[继续阅读]

    虽然可以清楚地证明Si1-xGex合金或Ge量子点使外延晶体硅薄膜太阳能电池的光生电流增加,但是实验仍然不能证明电流的增加足以抵消电压的减小,以至于转换效率反而降低。所以,需要发展Si衬底和Si外延层之间的陷光结构,要求在Si衬底...[继续阅读]

    非晶硅a-Si:H的载流子扩散长度远短于晶体硅,器件质量本征a-Si:H的双极扩散长度在0.1～0.3μm范围。在掺杂a-Si:H层中,掺杂引起的缺陷密度比本征a-Si:H高2～3个数量级,少子扩散长度非常低。像晶体硅太阳能电池那样依靠p-n结电中性区(e...[继续阅读]

    目前,非晶硅薄膜太阳能电池研究的重点领域是进一步开发和应用有效的陷光结构。为了将入射光有效地俘获在吸收层中,陷光结构运用粗糙的界面、高反射率背接触和折射率匹配层使光线在电池内多次反射。经过粗糙界面散射以及前...[继续阅读]

    在制备太阳能电池组件的过程中,需要对衬底单片集成,在沉积透明导电氧化物TCO、非晶硅a-Si:H层和背接触后分别进行激光刻划步骤。激光刻划选择性地移除50～150μm宽的材料窄线,从而限制面积损失,同时定义了单个电池的尺寸。通常...[继续阅读]

    图6.2　扫描电子显微镜SEM给出的铜铟镓硒薄膜太阳能电池横截面铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备工艺是将数层薄膜沉积在刚性衬底或柔性衬底上,如图6.2所示。衬底上的第一层薄膜为Mo,作为不透明的背接触。然后覆盖p型的Cu(In,Ga)Se...[继续阅读]

    人们研究用含Cl物质对CdTe和其他Ⅱ-Ⅵ族材料的激活处理(activationtreatment)已经很长时间了。在20世纪80年代晚期,用CdCl2作为Cl源的激活处理被应用于碲化镉薄膜太阳能电池[55],并且很快地被研究业界作为必备的工艺步骤广泛使用[56],Cd...[继续阅读]