在SiO2或其他中间层上用SiHCl3通过常压化学气相沉积APCVD进行多晶硅沉积,是微电子领域的常规工艺。2.4.3节描述的反应腔和工艺适用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池,在镀有SiO2的Si衬底上沉积多晶硅层,之后经过区熔再结晶ZMR形成籽晶...[继续阅读]

    Bau[20]报道的Si3N4陶瓷衬底晶体硅薄膜太阳能电池运用热压成型烧结Si3N4陶瓷作为衬底,并且镀有ONO中间层。因为热膨胀系数TEC不匹配,形成Si层裂纹。相应的有效扩散长度Leff分布表明,裂纹对太阳能电池的性能造成了有害的影响,如图2...[继续阅读]

    我们已经介绍了染料敏化太阳能电池的运作机理和纳米结构,我们再讨论一下这种新型太阳能电池最新的特性数据。这些实验使用的染料敏化太阳能电池结构可以由截面图说明,如图9.11所示。作为前接触的工作电极(workingelectrode)和作...[继续阅读]

    S-W效应(光致衰减效应)会使单结非晶硅薄膜太阳能电池在运行的初始阶段降低性能,而在初始衰减后,太阳能电池的性能趋于稳定,高质量非晶硅薄膜太阳能电池的稳定输出功率是初始值的70%～85%。另一方面,S-W效应的衰减作用可以通过...[继续阅读]

    单结微晶硅薄膜太阳能电池首先由我们在瑞士纽沙泰尔大学实验室成功制备,随后数家实验室相继研究开发出p-i-n型上层配置和n-i-p型衬底配置,转换效率在8%～10%范围[18,69,84]。典型的p-i-n型上层配置电池结构,如图4.10所示。AM1.5光谱转...[继续阅读]

    因为元件电池作为电流源(currentsource)被互相串联,多结非晶硅薄膜太阳能电池要求电流匹配。电流最低的元件电池往往决定了多结电池的净电流。为了避免电流损失,每一个元件电池必须产生相等的电流,而元件电池产生的电流主要依...[继续阅读]

    虽然Si是间接带隙半导体,吸收入射光的能力相对较弱,但是原则上数μm厚的薄膜也可以实现理想的电流和转换效率。这是因为陷光结构能够相当有效地提高吸收率(absorbance)[4,5]。Si有源层前表面的绒面结合背反射镜可以实现较好的陷光...[继续阅读]

    在开始讨论有机太阳能电池理论模型研究之前,需要先总结一下实验结果。共轭聚合物光子物理学(photophysics)的激子理论是这样解释自由载流子光生的。通过吸收能带中的入射光,激发共轭聚合物,形成弗仑克尔型单线态激子,束缚能E...[继续阅读]

    图9.16说明了在电池运作过程中,敏化剂进行的催化循环(catalyticcycle)。限制染料敏化太阳能电池稳定性的机理是由染料激发态S*或氧化态S+引起的副反应(sidereaction)。激发态S*的副反应会与从被激发染料到介观氧化物导带的电子注入发生...[继续阅读]

    通常用吸收系数、光学带隙和折射率描述非晶硅a-Si:H的光学特性。将a-Si:H吸收系数关于光子能量的函数与a-SiGe:H、p型a-SiC:H和晶体硅比较,如图5.3(b)所示。在可见光波段,a-Si:H的吸收系数比晶体硅高100倍。这意味着1μm厚的a-Si:H层足够吸...[继续阅读]