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 非晶硅a-Si:H的载流子扩散长度远短于晶体硅,器件质量本征a-Si:H的双极扩散长度在0.1~0.3μm范围。在掺杂a-Si:H层中,掺杂引起的缺陷密度比本征a-Si:H高2~3个数量级,少子扩散长度非常低。像晶体硅太阳能电池那样依靠p-n结电中性区(e (共 2077 字) [阅读本文] >>
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