在本节中,我们将深入地讨论多晶硅薄膜的重要特性:●平均晶粒尺寸;●晶界缺陷密度;●晶界复合速度Sgb;●对多晶硅晶界效应的不同解释;●晶粒尺寸对开路电压Voc的影响。晶粒尺寸是多晶硅薄膜的一个关键参数。多晶硅层的晶粒尺...[继续阅读]

    几年来,染料敏化太阳能电池受到工业界的广泛关注,商业化组件的开发进展也很迅速。澳大利亚Dyesol、英国G24Innovation、日本AisinSeiki、德国RWE和瑞士Solaronix是比较知名的染料敏化太阳能电池企业。Dyesol已经成功生产了大面积组件,用于...[继续阅读]

    在20世纪80年代,很多非晶硅薄膜太阳能电池的研究专注于开发和优化基于a-Si:H的合金。人们结合p型的氢化非晶硅碳a-SiC:H作为较低光吸收的窗口层[8],而将氢化非晶硅锗a-SiGe:H作为堆积叠层电池的低带隙层[9],并引入了具有表面绒面(s...[继续阅读]

    如果增加有源层厚度,就会增加光吸收,从而认为体异质结太阳能电池的短路电流会增加。另一方面,根据式(10.22)和式(10.23),当有源层厚度d超过载流子的漂移长度Ld时,复合会引起电学损失。d≥Ld＝μ×τ×F(10.22)F=(10.23)基于这些讨论,体异...[继续阅读]

    在区熔再结晶ZMR工艺调整的许可范围内,更高的成本可以直接转化为扫描速度的增加。原则上,ZMR不是高投资的工艺,所以主要的投资成本来自于单位面积的工艺成本。进一步的计算表明,为了使ZMR成本低于10/m2,工艺的扫描速度必须高于...[继续阅读]

    数十年来,研究太阳能技术的科学家一直在寻求用非硅材料的异质衬底和Si镀膜工艺来制备薄膜太阳能电池。这种硅基薄膜太阳能电池(silicon-basedthinfilmsolarcell)概念的优势是:大幅度地减少昂贵的太阳能级硅耗用量,而且可以完全不用硅...[继续阅读]

    薄膜太阳能电池技术可以非常有效地使用原材料。传统晶体硅太阳能电池组件需要0.5～1kg/m2的半导体级硅(semiconductorgradesilicon),而CISe电池组件的每m2原材料耗用量为:Mo7～20g,Cu1.5～4g,In3～9g,Se7～20g,Zn1～3g(依赖于组件结构和良率[114])。...[继续阅读]

    认识到Na对器件性能有重要影响是铜铟镓硒薄膜太阳能电池研究的重大突破。Na有利于生长机理,得到良好的形貌,更加明显的是形成高效的p型掺杂。在空间电荷区复合占主导的电池中,观察到开路电压Voc的增加与净掺杂的增加是一致的...[继续阅读]

    如果使用高压耗尽化学气相沉积(HighPressureDepletionChemicalVaporDeposition,HPD-CVD)制备微晶硅μc-Si:H,等离子体反应腔的气压用7～10Torr的高压取代0.3Torr的传统沉积气压(depositionpressure)。由于7～10Torr的高压,轰击生长表面的离子在与等离子体碰...[继续阅读]

    现在有不少方法将非晶硅a-Si:H薄膜或器件的光吸收与状态密度分布关联起来。亚带隙吸收特别引起关注,因为它反映了带隙中局域态的跃迁。但是,亚带隙吸收较弱,所以人们运用一些基于测量二次效应(secondaryeffect)的间接方法,来测定...[继续阅读]