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 虽然Si是间接带隙半导体,吸收入射光的能力相对较弱,但是原则上数μm厚的薄膜也可以实现理想的电流和转换效率。这是因为陷光结构能够相当有效地提高吸收率(absorbance)[4,5]。Si有源层前表面的绒面结合背反射镜可以实现较好的陷光 (共 659 字) [阅读本文] >>
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