多层结构共烧(cofiringofmultilayerstructure)最忌讳的是界面的反应,例如在SOFC的两层结构例子中[28],LSM/YSZ(La0.65Sr0.30MO3/8Y-YSZ)的生胚在1200~1400℃下共烧1~48h后,在LSM与YSZ界面间产生无孔洞区(void-freezone,VFZ)。其产生原因有二,科氏效应(Kirken (共 447 字) [阅读本文] >>
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 多层结构共烧(cofiringofmultilayerstructure)最忌讳的是界面的反应,例如在SOFC的两层结构例子中[28],LSM/YSZ(La0.65Sr0.30MO3/8Y-YSZ)的生胚在1200~1400℃下共烧1~48h后,在LSM与YSZ界面间产生无孔洞区(void-freezone,VFZ)。其产生原因有二,科氏效应(Kirken (共 447 字) [阅读本文] >>
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