
 图1.1.8-71a)所示为TTL与非门的典型电路。其工作原理是:当输入端有一个(或几个)接低电平(+0.3V)时,T1(多发射极三极管)的基极被箝位在1V,这时T1处于饱和状态,Vc1的电平大约只有0.4V左右,因此T2、T5截止,从Ec经R2、T3和T4的发射结到负载,将有 (共 5876 字) [阅读本文] >>
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 图1.1.8-71a)所示为TTL与非门的典型电路。其工作原理是:当输入端有一个(或几个)接低电平(+0.3V)时,T1(多发射极三极管)的基极被箝位在1V,这时T1处于饱和状态,Vc1的电平大约只有0.4V左右,因此T2、T5截止,从Ec经R2、T3和T4的发射结到负载,将有 (共 5876 字) [阅读本文] >>
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