应用半定量RT-PCR分析正常生长条件下UV-B辐射抗性水稻品种Lemont和敏感水稻品种Dular根系Lsi1基因的表达丰度,结果发现Lemont根系的Lsi1基因表达量较Dular高(图2-9)。进一步测定Lemont与Dular根系的硅吸收量及叶片硅含量,结果也表明UV-B辐射抗 (共 298 字) [阅读本文] >>
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 应用半定量RT-PCR分析正常生长条件下UV-B辐射抗性水稻品种Lemont和敏感水稻品种Dular根系Lsi1基因的表达丰度,结果发现Lemont根系的Lsi1基因表达量较Dular高(图2-9)。进一步测定Lemont与Dular根系的硅吸收量及叶片硅含量,结果也表明UV-B辐射抗 (共 298 字) [阅读本文] >>