在单晶衬底上(也有在绝缘体或其他材料上)以气相沉积方式再生长一层单晶薄片的方法。由于此法现已能制备出质量优良的大直径单晶外延片,从而促成了处延片需求的快速增长。1996年,世界生产的8in(1in=2.54cm)硅片,外延片仅占14.2%,1 (本文共 247 字 ) [阅读本文] >>
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 在单晶衬底上(也有在绝缘体或其他材料上)以气相沉积方式再生长一层单晶薄片的方法。由于此法现已能制备出质量优良的大直径单晶外延片,从而促成了处延片需求的快速增长。1996年,世界生产的8in(1in=2.54cm)硅片,外延片仅占14.2%,1 (本文共 247 字 ) [阅读本文] >>