通过分子动力学研究3C-SiC晶体在纳米抛光中的材料去除

半导体光电页数： 8 2025-10-15

摘要： 3C-SiC晶体在航空航天、能源、化工及电子等工程领域应用广泛，但其表面摩擦和磨损机制的深入理解与低损伤加工仍面临挑战。文章采用分子动力学模拟方法，系统探究了纳米抛光深度对3C-SiC晶体材料去除机制的影响。通过在特定范围内改变抛光深度，详细分析了其对工件原子运动和结构转变的作用规律。模拟结果表明，减小抛光深度可降低抛光引起的亚表面损伤和相变程度。具体而言，1～3 nm的抛光深... （共8页）

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