照片 Si3N4和SiC晶界的高分辨TEM像

    在电子束具有良好相干性条件下拍摄的晶界高分辨结构像。箭头所指区域为孪晶,A为晶界非晶区。...查看详细>>

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照片 多晶金刚石膜的高分辨电子显微像

    (a)(112)∑3CSL(重位点阵)晶界,晶界本身仍保持着金刚石的原子结构对称性。(b) ∑9晶界,它和两个∑3晶界相联结。(引自Yaogan,Zhang等,Tokyo University,Japan)...查看详细>>

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照片 TiC沉淀在Si3N4中的高分辨结构像

    相界面完全处于非共格状态。由于它们体弹性模量的不同,TiC在析出后长大过程中,仍然在基体中引起一定程度的应变(如箭头所示的暗区)。左侧白色虚线所围区域为层错。(引自KHiraga,Tohoku University,Japan)...查看详细>>

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0〉的纯刃型位错的[0001]高分辨电子显微像" target="_blank">照片 在蓝宝石(Sapphire)基体中, 柏氏矢量为1/3〈110〉的纯刃型位错的[0001]高分辨电子显微像

    虚线方框中清晰显示1/3〈110〉的半原子面。...查看详细>>

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照片 Si(上部)在蓝宝石膜上外延生长的界面HREM结构像

    (a)〈110〉Si∥B(电子束方向):(b)〈001〉Si∥B(电子束方向)。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中典型的SiC-位错锁群

    一些SiC粒子已脱落,呈白色。可看到Al2O3中的特征位错组态。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC界面应变诱发位错

    (1) SiC应变诱发的辐射状位错群。大多数情况下,其b属于1/3〈113〉型。(2)箭头所示为对纳米复合陶瓷起主要强化作用的SiC-位错锁。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中Al2O3基体中另一类典型位错网的形成

    区别于照片85,此处只有两组1/3〈211〉型位错参加反应。这种位错网使晶体区分成互成小角度的A、B区,即亚晶粒。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中的位错露头

    Al2O3基面上的AB型〈0001〉全位错的露头衬度,和立方晶系的露头位错一样,显示清晰的蝶翅形黑白衬度。衬度特征表示它们是刃位错的露头。...查看详细>>

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照片 Al2O3陶瓷中不完全的位错反应

    Al2O3基体单滑移面(0001)上1/3〈2113〉和1/3〈1120〉位错的反应。虚线表示平行相邻的两个(0001)面。...查看详细>>

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