照片 Si3N4和SiC晶界的高分辨TEM像

     在电子束具有良好相干性条件 下拍摄的晶界高分辨结构像。 箭头所指区域为孪晶,A为晶界 非晶区。...查看详细>>

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照片 多晶金刚石膜的高分辨电子显微像

     (a)(112)∑3CSL(重位点阵)晶界,晶界本身仍保持着金刚石的原子结构对称性。 (b) ∑9晶界,它和两个∑3晶界相联结。(...查看详细>>

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照片 TiC沉淀在Si3N4中的高分辨结构像

    相界面完全处于非共格状态。由于它们体弹性模量的不同,TiC 在析出后长大过程中,仍然在基体 中引起一定程度的...查看详细>>

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0〉的纯刃型位错的[0001]高分辨电子显微像" target="_blank">照片 在蓝宝石(Sapphire)基体中, 柏氏矢量为1/3〈110〉的纯刃型位错的[0001]高分辨电子显微像

     虚线方框中清晰显示1/3〈110〉 的半原子面。...查看详细>>

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照片 Si(上部)在蓝宝石膜上外延生长的界面HREM结构像

     (a)〈110〉Si∥B (电子束方向): (b)〈001〉Si∥B (电子束方向)。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中典型的SiC-位错锁群

     一些SiC粒子已脱落,呈白 色。可看到Al2O3中的特征位错 组态。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC界面应变诱发位错

     (1) SiC应变诱发的辐射状位 错群。大多数情况下,其 b属于1/3〈113〉型。 (2)箭头所示为对纳米复合陶 瓷起主要强化...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中Al2O3基体中另一类典型位错网的形成

    区别于照片85,此处只有两组1/3〈211〉型位错参加 反应。这种位错网使晶体区 分成互成小角度的A、B区, 即亚晶粒。...查看详细>>

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照片 Al2O3/SiC陶瓷中的位错露头

    Al2O3基面上的AB型〈0001〉 全位错的露头衬度,和立方晶系的 露头位错一样,显示清晰的蝶翅形 黑白衬度。衬度特征...查看详细>>

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照片 Al2O3陶瓷中不完全的位错反应

    Al2O3基体单滑移面(0001)上 1/3〈2113〉和1/3〈1120〉位错的反应。 虚线表示平行相邻的两个(0001)面。...查看详细>>

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