单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

摘要： 电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了所建模型的正确性.同时对其中的关键性栅电容C_(gg)与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大,随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变. （共6页）