单光子雪崩二极管雪崩建立与淬灭的改进模型

固体电子学研究与进展页数： 5 2012-10-25

摘要：对单光子雪崩二极管的雪崩建立与淬灭理论模型进行改进,使雪崩击穿过程中载流子数目能反映雪崩的特点,进而使其理论模型中的负载电阻值与实验所使用的阻值更加接近。通过对载流子增加方式及数量统计的改进,数值仿真表明,模型中负载所用的淬灭电阻可以从原来的8 kΩ提高到100 kΩ,并且雪崩及淬灭所用的时间与实验结果也更加吻合。此外,单光子雪崩二极管两端的反向偏置电压的高低对雪崩脉冲响应的幅度有影响。（共5页）

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