p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

物理学报页数： 7 2011-06-15

摘要：对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系.实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应.通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型. （共7页）

开通会员，享受整站包年服务

说明：本文档由创作者上传发布，版权归属创作者。若内容存在侵权，请点击申诉举报

科技文档

数学力学化学金融证券保险投资会计审计园艺林业旅游体育物理学生物学天文学气象学海洋学地质学新能源金属学农艺学农作物管理学领导学自然科学系统科学资源科学无机化工有机化工燃料化工化学工业材料科学矿业工程冶金工业安全科学环境科学工业通用机械工业无线电子电信技术铁路运输汽车工业船舶工业动力工程电力工业农业科学农业工程植物保护动物医学教育理论学前教育初等教育中等教育高等教育职业教育成人教育自然地理地球物理经济统计农业经济工业经济交通经济企业经济文化经济信息经济贸易经济财政税收市场研究科学研究互联网自动化轻工业核科学服务业石油然气服务业野生动物水产渔业硬件仪器仪表航空航天武器军事公路运输水利水电建筑科学软件