248 nm与808 nm激光电化学刻蚀不同材料的实验研究

摘要： 为探讨不同激光电化学刻蚀的工艺特性,采用两种激光(KrF:248 nm,20 ns和半导体激光:808 nm连续)作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了不同激光电化学刻蚀不同材料的工艺特点。讨论两种激光对半导体与金属的不同刻蚀机制,并比较了这两种激光对不同材料的刻蚀性能。实验表明,248 nm激光电化学刻蚀工艺中直刻占主要部分,该工艺刻蚀硅比刻蚀金属有更好的刻蚀速率;808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,该工艺不适合刻蚀半导体材料。 （共5页）