高强度烧结银的纳米晶制备和膏体研究

电子元件与材料页数： 7 2025-08-05

摘要：为满足碳化硅功率模块的高温封装需求，制备了双粒径分布银颗粒作为互连材料。该材料以硝酸银为前驱体，通过调控盐酸成核剂用量、反应温度和反应时间，实现了在微米级银颗粒表面原位生长纳米银颗粒的可控制备。通过调控有机物的种类与用量制备微纳米银复合膏体，通过烧结实验对比，研究了银膏在银基板间的烧结特性和微连接性能。当银膏烧结温度为300℃时，剪切强度最大达到88 MPa,达到了碳化硅器件封... （共7页）

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