铬掺杂及点缺陷对β-Ga₂O₃电子结构和光学性质影响的研究

摘要： 使用第一性原理、广义梯度近似研究了不同浓度的Cr掺杂β-Ga₂O₃、引入O空位的β-Ga₂O₃、O空位和Cr掺杂的β-Ga₂O₃、间隙H和Cr掺杂的β-Ga₂O₃体系的电子结构和光学性质。结果表明，掺杂Cr后，β-Ga₂O₃的带隙减小，光电导率显著提高，吸收光谱红移。空位体系可以增大β-Ga₂O₃模型的静介电常数，掺杂空位共存体系相较于空位体系而言可以提... （共9页）