当前位置:首页 > 科技文档 > 化学 > 正文

B掺杂及空位修饰下g-C3N4/h-BN异质结电子结构与光学性质的第一性原理研究

功能材料 页数: 10 2025-12-30
摘要: 二维材料因其独特的物理化学性质在光催化及能源领域备受关注,然而g-C3N4/h-BN异质结存在光生载流子复合率高和电子传输效率低等问题。研究基于密度泛函理论,通过在异质结中引入B原子掺杂或空位缺陷,系统探究其电子结构调控机制及光学性能提升策略。通过构建3种堆叠构型发现,AA堆叠异质结构具有最优稳定性,其界面结合由范德华作用主导。研究揭示空位缺陷虽使异质结带隙从1.727 e... (共10页)

开通会员,享受整站包年服务
说明: 本文档由创作者上传发布,版权归属创作者。若内容存在侵权,请点击申诉举报