La_(1-x)S_rxMnO₃底电极对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O₂铁电性的影响

功能材料页数： 6 2025-10-30

摘要： HfO₂基薄膜由于其与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide-semiconductor, CMOS)工艺的兼容性以及在微小尺寸下保持铁电性的能力，在高密度逻辑器件和非易失性存储器等新型器件中具有广阔的应用前景。在HfO₂基薄膜中，亚稳铁电相(正交相)的稳定调控及铁电性的优化对于实现高性能铁电器件至关重要。系统研究了La_(1-x) Sr_... （共6页）

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