基于SHPB试验的高应变率下单晶硅动态力学特性研究

兵器装备工程学报页数： 6 2025-12-15

摘要：为了研究高应变率下单晶硅动态力学特性，采用分离式霍普金森杆(SHPB)对单晶硅试件开展冲击试验，观测其强度、弹性模量在不同高应变率下作用规律以及对应的破坏状态，分析高动态下单晶硅真实应力-应变关系。结果表明：当应变率为3 200 s^-1时，峰值应力比应变率为2 100 s^-1增加了32.7%,比准静态下加载的静态强度增加了45.2%,说明试件即将达到弹性极限之时，试... （共6页）

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