易解理氮化镓晶体超声辅助光电化学机械抛光关键技术研究

摘要： 目的 探究第三代半导体材料易解理氮化镓晶体高效、低损伤抛光加工工艺。方法 提出使用超声辅助与光电化学机械相结合的抛光技术，对氮化镓晶体N面（即（000 1）面或-C方向）进行抛光加工。通过单因素试验研究抛光压力、抛光盘转速、超声振幅、光照强度以及外加电压等因素对氮化镓N面材料去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）的影响规律，通过正交试验探究最佳抛光加工工艺参数组合，通过XPS试验... （共11页）