一种高速栅压自举采样开关设计

电子器件页数： 5 2025-10-20

摘要：基于40 nm/0.9 V标准CMOS工艺，设计了一种新型的高速栅压自举采样开关，通过添加MOS管来加速采样管的充放电过程，使其可以适用于高速型的数据处理系统中。通过对电路结构的调整，抑制了电路中寄生电容之间的耦合效应，提升了电路的性能指标，在500 MHz的采样频率下，输入频率为5 MHz、幅值为0.6 V的正弦波信号，对其进行采样。得到电路的性能指标如下：有效位数(ENOB... （共5页）

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