嵌入半超结的增强型GaN/AlGaN异质结垂直HFET

电子器件页数： 10 2025-10-20

摘要：元胞面积相同的GaN/AlGaN异质结垂直场效应管(HFETs)比横向HFET的击穿电压(V_B)更高，值得进一步研发。本文利用Silvaco TCAD软件仿真，构建了一种包含GaN/AlGaN异质结源极、p型GaN埋层与n型GaN漂移区组成半超结的增强型垂直HFET,模拟了器件性能对异质结源极的Al组分、电流阻挡层掺杂浓度、GaN埋层宽度及掺杂浓度的依赖性；分析了Al组分突变... （共10页）

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