微基站用GaN HEMT功率MMIC

电子器件页数： 5 2025-10-20

摘要：使用简化的Doherty功率放大器架构，同时采用谐波匹配技术，实现了功率放大器饱和以及回退高效率。利用此技术研制了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的3.4 GHz～3.6 GHz功率MMIC,用于5G微基站通信领域。芯片采用AB类+Doherty的二级放大结构，输出网络使用了简化的电抗匹配实现负载调制保证回退下高效率，驱动级利用低通网络实现功率分配和相位补偿，同时在级... （共5页）

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