碳掺杂对GaN MIS-HEMT热阻的调控机制研究

摘要： 针对封装GaN MIS-HEMT器件，采用实验结合仿真（ANSYS Icepak）的方式，系统研究了缓冲层碳掺杂浓度对热阻的调控机制。通过瞬态热测试（T3Ster）获得了器件的瞬态热阻抗曲线和微分、积分函数，建立了基于器件各物理层的5阶Cauer型RC热网络模型。实验结果显示，碳掺杂浓度升高导致结壳热阻上升9.9%，其中芯片层热阻增幅达31.2%；仿真结果验证了碳掺杂可以使缓冲... （共8页）