负电容薄膜晶体管的仿真设计与验证

固体电子学研究与进展页数： 6 2025-12-25

摘要：研究旨在利用负电容效应优化薄膜晶体管（Thin-film transistor, TFT）的电学性能，降低亚阈值摆幅和功耗，实现低工作电压下的高开关速度。通过TCAD软件仿真，系统研究了基于氧化锆铪（HZO）的负电容薄膜晶体管在不同沟道长度下的电学特性，包括I-V特性、亚阈值摆幅、阈值电压和电流开关比等关键参数。研究结果表明，随着沟道长度的缩短，晶体管的开关速度和电流开关比显著... （共6页）

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