GaN MIS-HEMT的PBTI效应研究

摘要： 本研究系统探讨栅介质层厚度对GaN MIS-HEMT器件正栅偏置温度不稳定性（Positive gate bias temperature instability, PBTI）的影响机制。实验选取了40 nm和60 nm SiN栅介质层MIS-HEMT器件，结果表明，PBTI应力过程中阈值漂移量呈现对数时间依赖性，恢复阶段中阈值漂移的时间演化遵循幂律规律。长时间应力对输出特性和... （共7页）