GaN HFET应力偏置引发的阈值电压移动和电流崩塌

摘要： 利用开尔文探针力显微镜（Kelvin probe force microscopy, KPFM）测得的GaN异质结场效应晶体管（Heterostructure field-effect transistor, HFET）虚栅电势计算了器件从应力偏置转换到测试偏置后不同时刻的实时能带。比较了内、外沟道电场环境变化时产生的不同能带畸变，发现应力偏置漏压逐渐升高超过一个阈值后就会引发... （共10页）