低压Si基GaN功率放大器在移动终端的首次产业化应用

固体电子学研究与进展页数： 1 2025-10-25

摘要： <正>南京电子器件研究所聚焦6英寸(150 mm)0.25μm Si-GaN HEMT工艺开发,突破大失配异质外延引起的大翘曲和高位错密度、低压工作制约Si基GaN器件输出功率密度、宽带高回退效率电路设计和量产一致性等难题,构建了高均匀一致的6英寸Si基GaN工艺平台,成功研制了首款终端用高效率Si基GaN射频芯片(如图1所示)。图2测试结果显示,在n77频段额定输出功率下,附... （共1页）

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