基于原子层沉积IGZO场效应晶体管的短沟道效应优化

固体电子学研究与进展页数： 7 2025-10-25

摘要：采用原子层沉积技术在HfO₂/Si衬底上生长出厚度范围为7～17 nm的IGZO有源层沟道，基于微纳加工工艺制备出背栅场效应晶体管，并系统研究了沟道厚度对抑制短沟道效应的影响。研究结果表明，随着沟道厚度从17 nm减薄至7 nm，由于量子限域效应增强导致的能带结构改变，器件的阈值电压从-0.35 V正移至0.42 V，并且在沟道厚度减薄至7 nm时，场效应迁移率仍保持在15 ... （共7页）

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