碳面4H-SiC衬底高质量同质外延生长

固体电子学研究与进展页数： 6 2025-10-25

摘要：开展了150 mm碳面（C面）4H-SiC衬底同质外延生长技术研究，并从外延速率、表面缺陷形貌、表面粗糙度以及掺杂浓度等维度，系统对比了C面外延与常规硅面（Si面）外延的差异。通过工艺优化，有效解决了C面外延掺杂均匀性差的问题，实现表面形貌缺陷密度0.02 cm^-2、n型掺杂浓度不均匀性2.28%、厚度不均匀性0.12%的高质量C面4H-SiC同质外延材料制备。基于C面外... （共6页）

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