氧化镓基功率晶体管的研究进展

固体电子学研究与进展页数： 15 2025-10-25

摘要：氧化镓（Ga₂O₃）作为一种极具发展潜力的超宽禁带半导体材料，近年来在高功率电子器件、射频功率开关及日盲紫外探测器等领域备受瞩目。其中，β相Ga₂O₃凭借其卓越的材料特性——高达8 MV·cm^-1的理论击穿电场强度、4.8 eV的超宽禁带宽度以及优异的巴利加优值，成为下一代功率器件的理想候选材料。聚焦当前的研究热点，重点关注了横向耗尽型晶体管、横向增强型晶体管及垂... （共15页）

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