动态范围超过75 dB的InGaAs/InAlAs光电导太赫兹探测天线制备与表征

摘要： 光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件，在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料，作为1 550 nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料，制备的材料方块电阻大于10~6Ω/sq、电子迁移率为216 cm~2/（V·s）。采用湿法腐蚀和磁控溅射工艺分别制备探测天线有源区台面和电极结构，并将天线芯片封装在PCB电... （共7页）