基于Transformer模型的磷化铟高电子迁移率晶体管毫米波建模（英文）

摘要： 本文对基于Transformer神经网络模型的磷化铟高电子迁移率晶体管（InP HEMT）小信号建模进行了研究，利用Transformer模型对HEMT器件的交流S参数进行训练和验证。在所提出的模型中，八层Transformer编码器串联，每个Transformer的编码器层由多头注意层和前馈神经网络层组成。实验结果表明，在0.5～40 GHz频率范围内，HEMT器件测量和建模... （共6页）