单层Bi₂O₂S表面卤族元素钝化研究

摘要： 为了拓展单层Bi₂O₂S的带隙可调控范围，采用第一性原理计算方法系统研究了单层Bi₂O₂S表面卤族元素Y(Y为F, Cl, Br, I)钝化后的材料结构和电子特性。使用广义梯度近似（GGA-PBE）泛函和杂化密度泛函（HSE06）分别计算了单层Bi₂O₂S—Y(Y为F, Cl, Br, Ⅰ)体系的能带结构等，并对不同基组泛函所得结果进行了对比分析。结果表明，当表面采... （共8页）