MoS₂/ZnO异质结的制备及其光学性能研究

激光与光电子学进展页数： 7 2025-03-25

摘要：使用射频磁控溅射法先在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上制备ZnO薄膜，然后在结晶度最好的ZnO薄膜上制备MoS₂/ZnO异质结。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱和紫外-可见光光度计等对异质结样品进行表征分析。结果表明：沉积温度为250℃、沉积时间为2 min、氩气流量为6 mL/min、溅射功率为250 W时，异质结的结晶度最好。在200～300 W范... （共7页）

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