六方CaCuCh(Ch= N、P、As、Sb、Bi)电子结构和光学性质的第一性原理计算

摘要： 近年来，p型透明导电非氧化物材料受到了诸多研究者的广泛关注。基于密度泛函理论的第一性原理方法，优化了六方非氧化物CaCuCh(Ch=N、P、As、Sb、Bi)的几何结构，并计算分析了其电子结构和光学性质。计算结果表明，CaCuP、CaCuAs和CaCuSb属于间接带隙半导体，其带隙分别为0.155、0.247和0.065 eV,而CaCuN和CaCuBi的能带穿过费米面，呈现金... （共7页）