10 nm尺度氮化镓局域热点的传热测量

摘要： 以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料在功率半导体、微纳电力电子器件等领域具有重要的应用，而电子器件中广泛存在的纳米尺度热点(小于100 nm)极大地降低器件热安全阈值，是热安全隐患的重要来源，研究纳米尺度热点、充分理解纳米尺度热源的声子导热行为具有重要意义。纳米热点的可控生成及温度测量一直是工程热物理领域研究的热点和难点，本文针对该难题发展的针尖增强拉曼测热技术，同... （共8页）