GaN器件金刚石近结集成热管理技术研究进展

固体电子学研究与进展页数： 7 2024-12-25

摘要： GaN器件大功率及高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起的器件结温升高问题，导致器件性能严重下降，GaN器件的大功率潜能远未得到发挥，金刚石近结集成热管理技术是解决GaN器件热瓶颈的重要途径。本文详细论述GaN器件近结热管理技术的重要性，并对近年来国际上正在开展的金刚石近结散热技术方法进行系统分析和评述，揭示了金刚石与GaN器件近结集成工艺途径及面临的技术挑战，阐述... （共7页）

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