高掺钪AlN压电薄膜HBAR器件及工艺研究

传感器与微系统页数： 4 2025-01-07

摘要：本文研究了高掺钪氮化铝(Al_xSc_(1-x)N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响，研究表明：30%钪组分的Al_(0.7)Sc_(0.3)N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机电耦合系数(k_(eff)~2)。研究了电感耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀工艺对Mo电极斜坡角度的影响，通过调控工艺参数可... （共4页）

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