MOCVD技术制备In₂O₃紫外光电探测器研究

微纳电子技术页数： 8 2024-12-15

摘要：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法分别在蓝宝石、氧化钇稳定氧化锆(YSZ)和蓝宝石上p-GaN衬底上生长In₂O₃薄膜，生长温度为600℃。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、霍尔系统对3种薄膜进行了表征，结果表明YSZ基In₂O₃薄膜的最小半峰宽(FWHM)为0.23°,表面粗糙度为1.99 nm,霍尔迁移... （共8页）

开通会员，享受整站包年服务

说明：本文档由创作者上传发布，版权归属创作者。若内容存在侵权，请点击申诉举报

科技文档

数学力学化学金融证券保险投资会计审计园艺林业旅游体育物理学生物学天文学气象学海洋学地质学新能源金属学农艺学农作物管理学领导学自然科学系统科学资源科学无机化工有机化工燃料化工化学工业材料科学矿业工程冶金工业安全科学环境科学工业通用机械工业无线电子电信技术铁路运输汽车工业船舶工业动力工程电力工业农业科学农业工程植物保护动物医学教育理论学前教育初等教育中等教育高等教育职业教育成人教育自然地理地球物理经济统计农业经济工业经济交通经济企业经济文化经济信息经济贸易经济财政税收市场研究科学研究互联网自动化轻工业核科学服务业石油然气服务业野生动物水产渔业硬件仪器仪表航空航天武器军事公路运输水利水电建筑科学软件

MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器研究

MOCVD技术制备In₂O₃紫外光电探测器研究