具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_x/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs（英文）

红外与毫米波学报页数： 7 2024-04-15

摘要：文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）原位生长SiN_x栅介质，成功制备了高性能的SiN_x/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）。深能级瞬态谱（DLTS）技术测试SiN_x/AlN的界面信息，显示其缺陷能级深度为0.236 eV，俘获截面为3.06×10^-19 cm^-2，提取的界面态密度为... （共7页）

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