基于VCCT理论的芯片多顶针剥离工艺参数优化

电子元件与材料页数： 8 2024-06-05

摘要：针对芯片在拾取过程中易碎裂的问题，采用虚拟裂纹闭合法对多顶针工艺拾取芯片的过程进行动力学建模和仿真。首先建立了芯片-胶层-蓝膜复合模型结构；然后进行了硅片-蓝膜单轴拉伸实验，确定了模型的关键参数；最后通过模拟不同工艺参数，包括顶针间距和胶层材料的变化，对剥离过程中芯片上的最大应力变化进行了深入的分析。仿真结果显示，在芯片剥离过程中，芯片中心区域出现了明显的应力集中。减小顶针间距... （共8页）

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