半导体硅材料CMP三维有限元分析

摘要： 利用有限元仿真方法分析了四轴多片式单面抛光系统的抛光压力分布，建立三维准静态非轴对称模型，设定了模型部件尺寸和材料物性参数，设定模型假设条件和边界约束，使用有限元软件计算不同抛光垫杨氏模量和不同载荷条件下对硅片表面法向应力的影响，实验验证了硅片表面法向应力非均匀性（NSNU）与抛光去除非均匀性（WIWNU）的对应关系。抛光工作状态中抛光盘、陶瓷板的最大形变量为纳米级别，对硅片品...