基于铁电晶体管的存储与存算一体电路

电子与信息学报页数： 15 2023-08-21

摘要：近年来，物联网和人工智能等技术的发展对片上存储与智能计算的能效、密度以及性能提出了更高的要求。面对传统CMOS处理器的能效与密度瓶颈，以及传统冯·诺伊曼架构的“存储墙”瓶颈，以铁电晶体管(FeFET)为代表的新型非易失存储器(NVM)提供了新的机遇。FeFET具有非易失、高能效、高开关比等特点，非常适合低功耗、高密度场景下的存储与存算一体(CiM)应用，为数据密集型应用在边缘端...

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