六方氮化硼外延生长研究进展

人工晶体学报页数： 17 2023-05-15

摘要：二维超宽禁带半导体材料六方氮化硼(h-BN)具有绝缘性好、击穿场强高、热导率高，以及良好的稳定性等特点，且其原子级平整表面极少有悬挂键和电荷陷阱的存在，使其有潜力成为二维电子器件的衬底和栅介质材料。实现h-BN应用的关键在于生长高质量的h-BN单晶薄膜，本文详细介绍了在过渡金属衬底、绝缘介质衬底和半导体材料表面外延生长h-BN的方法及其研究进展。在具有催化活性的过渡金属衬底(铜... （共17页）

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