气体组分对大气压Ar/O2/SiH4放电影响的数值模拟研究
真空科学与技术学报
页数: 10
2022-09-07
摘要: 本文借助于二维流体力学模型对大气压下Ar/O
2/SiH
4放电进行了研究,重点关注了气体组分变化对前驱物粒子密度以及二氧化硅薄膜均匀性的影响。模拟结果表明:O
2含量在整个放电体系中起决定性作用。当SiH
4含量一定时,增加O
2含量可以在不改变电子密度的同时,较大程度提高薄膜的沉积速率、优化薄膜的均匀性。SiH
4含量主要对前驱物粒子SiH
3O密度有较大影响,对薄膜的贡献... ...
科技文献气体组分;低温等离子体;数值模拟;二氧化硅薄膜