知识贝壳
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所属栏目：核科学技术
【日期】：2021-08-17
【关键词】：氧化挥发;模拟乏燃料短段;氧化速率;氧化产物
【摘要】：氧化挥发是一种具有良好应用前景的后处理首端技术，该技术不仅能有效实现氚的管控还可简化后续处理流程。
为预测乏燃料的氧化行为并为氧化挥发技术提供参考，本文利用旋转式氧化挥发装置，对模拟乏燃料短段在673～873 K下的氧化行为进行了研究。
结果表明，673～823 K范围内，随着温度的升高，模拟乏燃料短段氧化速率、氧化产物(小于200μm)粒径均会增加。