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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状

辐射防护页数： 8 2020-11-20

摘要：为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于总剂量效应(TID)导致的阈值电压漂移(ΔVth)。（共8页）

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