上海微系统所发现锗基石墨烯取向生长物理机制

中国有色冶金页数： 1 2016-08-28

摘要： <正>中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室S0I材料与器件课题组在锗基石墨烯的取向生长机制方面取得进展。研究人员发现衬底表面原子台阶对于石墨烯取向生长的重要性,并且与华东师范大学合作借助于第一性原理DFT理论计算分析得到石墨烯单晶畴在(110)晶面的锗衬底上取（共1页）

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